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长期从事低维半导体与光电器件研究，制造包括半导体发光量子点与显示技术，二维半导体与集成电路技术，吸波材料与隐身技术。该工作的提出有望推动高质量锑烯在能源、平方电子领域的应用。本工作报道了一种一锅法生长长径比超过105的单晶CsPbBr3钙钛矿线的方法，家用3印机座产率高达70%。

本工作将老化器件的上层电极层和传输层处理掉，公司对裸露的钙钛矿发光层进行了测试，公司发现器件中离子迁移带来的Br和Cs的不均匀分布，Br-的情况则更为严重，这是因为钙钛矿中Br-的活化能更低更易发生迁移。最后，打大约高质量的锑烯经HCl简单处理后，使得Na+沿基面扩散，从而表现出良好的电容去离子性能，在超低NaCl浓度(135mgL-1)下，其吸附盐量为31.4mgg-1。

►研究工作11：制造加压合金化方法合成高质量锑烯 (Adv.Funct.Mater.,2021,2102766)单质锑烯作为二维材料家族中的新成员，制造近年来引起了人们的极大关注，但较高的化学活性和较窄的层间通道已经影响了将其从块体材料剥离出来的产物质量。

通过这种量身定制的三元无卤溶剂（萘烷、平方正十三烷和正壬烷）配方，平方获得了高分散性和稳定性的CsPbBr3量子点墨水，其印刷适性和成膜能力远优于二元溶剂（萘烷和正十三烷）体系，从而产生质量更好、表面缺陷更少的钙钛矿量子点薄膜。16岁上大学，家用3印机座28岁成为中科院金属研究所研究员，家用3印机座36岁被任命为中科院金属研究所所长，38岁当选中国最年轻的中科院院士，41岁成为美国《科学》杂志创刊以来第一位担任评审编辑的中国科学家。

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2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、制造是该公司的联合创始人之一，制造历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。平方2005年入选中国科学院百人计划。